Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET, 380 A, 30 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMNR58-30YLHX
- N° de stock RS:
- 219-329
- Référence fabricant:
- PSMNR58-30YLHX
- Fabricant:
- Nexperia
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- N° de stock RS:
- 219-329
- Référence fabricant:
- PSMNR58-30YLHX
- Fabricant:
- Nexperia
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 380A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | LFPAK | |
| Series | PSM | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.67mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 333W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 55nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
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|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 380A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type LFPAK | ||
Series PSM | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.67mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 333W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 55nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- PH
The Nexperia N-Channel MOSFET is optimized for low RDSon, low IDSS leakage even at high temperatures, high efficiency, and high current handling. It is Ideal for DC load switch and hot-swap applications. Key uses include hot-swap, e-fuse, power OR-ing, DC/load switching, battery protection, and brushed/BLDC motor control.
Copper clip for low parasitic inductance and resistance
High reliability LFPAK package
Qualified to 175 °C
Wave solder able
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