Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET, 320 A, 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMNR90-40YSNX

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219-300
Référence fabricant:
PSMNR90-40YSNX
Fabricant:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

320A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

LFPAK

Series

PSM

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.97mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

42nC

Maximum Power Dissipation Pd

268W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
PH
The Nexperia N-Channel ASFET is optimized for battery system applications, offering low RDS(on) and strong SOA capability to minimize I²R conduction losses. It delivers high efficiency, reduced heat generation, and superior inrush current handling during transient and fault conditions. Key applications include battery management systems, eFuse, load-switching, BLDC motor control, high-performance power supplies, and synchronous rectification.

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