STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V Enhancement, 4-Pin SCT055W65G3-4AG

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 tube de 30 unités)*

275,40 €

(TVA exclue)

333,30 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 30 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
30 +9,18 €275,40 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
215-236
Référence fabricant:
SCT055W65G3-4AG
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

SCT

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

58mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

210W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

32nC

Maximum Operating Temperature

200°C

Standards/Approvals

AEC-Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

High speed switching performances

Very fast and robust intrinsic body diode

Liens connexes