STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 100 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 unité)*

63,11 €

(TVA exclue)

76,36 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 30 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 - 963,11 €
10 +56,80 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
215-070
Référence fabricant:
SCT020W120G3-4AG
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

SCT

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

18.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

121nC

Maximum Power Dissipation Pd

541W

Maximum Operating Temperature

200°C

Standards/Approvals

AEC-Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

Extremely low gate charge and input capacitance

Very fast and robust intrinsic body diode

Liens connexes