STMicroelectronics STL125N10F8AG Type N-Channel MOSFET, 125 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT STL125N10F8AG

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 unité)*

2,71 €

(TVA exclue)

3,28 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • 3 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 21 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 - 92,71 €
10 - 992,44 €
100 - 4992,26 €
500 - 9992,09 €
1000 +1,87 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
214-996
Référence fabricant:
STL125N10F8AG
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

125A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

STL125N10F8AG

Package Type

PowerFLAT

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

56nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS, AEC-Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics 100 V N-channel enhancement mode Power MOSFET designed in STripFET F8 technology featuring an enhanced trench gate structure. It ensures a state-of-the-art of figure of merit for very low on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge for Faster and more efficient switching.

Low gate charge Qg

Wettable flank package

Liens connexes