STMicroelectronics STL125N10F8AG Type N-Channel MOSFET, 125 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT STL125N10F8AG

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214-995
Référence fabricant:
STL125N10F8AG
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

125A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PowerFLAT

Series

STL125N10F8AG

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

56nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS, AEC-Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics 100 V N-channel enhancement mode Power MOSFET designed in STripFET F8 technology featuring an enhanced trench gate structure. It ensures a state-of-the-art of figure of merit for very low on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge for Faster and more efficient switching.

Low gate charge Qg

Wettable flank package

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