IXYS Type N-Channel MOSFET, 170 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH170N10P
- N° de stock RS:
- 193-509
- Numéro d'article Distrelec:
- 302-53-310
- Référence fabricant:
- IXFH170N10P
- Fabricant:
- IXYS
Offre groupée disponible
Sous-total (1 unité)*
12,24 €
(TVA exclue)
14,81 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 268 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 4 | 12,24 € |
| 5 - 19 | 11,26 € |
| 20 - 49 | 10,69 € |
| 50 - 99 | 8,20 € |
| 100 + | 7,84 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 193-509
- Numéro d'article Distrelec:
- 302-53-310
- Référence fabricant:
- IXFH170N10P
- Fabricant:
- IXYS
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 170A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 714W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 198nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5.3 mm | |
| Height | 21.46mm | |
| Length | 16.26mm | |
| Distrelec Product Id | 30253310 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 170A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 714W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 198nC | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5.3 mm | ||
Height 21.46mm | ||
Length 16.26mm | ||
Distrelec Product Id 30253310 | ||
Automotive Standard No | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Liens connexes
- IXYS HiperFET 170 A 3-Pin TO-247 IXFH170N10P
- IXYS HiperFET 110 A 3-Pin TO-247 IXFH110N10P
- IXYS HiperFET 74 A 3-Pin TO-247 IXFH74N20P
- IXYS HiperFET 26 A 3-Pin TO-247 IXFH26N50P
- IXYS HiperFET 16 A 3-Pin TO-247 IXFH16N50P
- IXYS HiperFET 88 A 3-Pin TO-247 IXFH88N30P
- IXYS HiperFET 26 A 3-Pin TO-247 IXFH26N60P
- IXYS HiperFET 36 A 3-Pin TO-247 IXFH36N60P