IXYS Type N-Channel MOSFET, 96 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH96N20P

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193-442P
Référence fabricant:
IXFH96N20P
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

96A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

24mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

145nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

600W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

21.46mm

Width

5.3 mm

Length

16.26mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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