STMicroelectronics MDmesh DM6 Type N-Channel MOSFET, 53 A, 650 V Enhancement, 8-Pin ACEPACK SMIT SH63N65DM6AG
- N° de stock RS:
- 152-113P
- Référence fabricant:
- SH63N65DM6AG
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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- N° de stock RS:
- 152-113P
- Référence fabricant:
- SH63N65DM6AG
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 53A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | MDmesh DM6 | |
| Package Type | ACEPACK SMIT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 64mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 424W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.55V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | AQG 324 | |
| Automotive Standard | AEC | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 53A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series MDmesh DM6 | ||
Package Type ACEPACK SMIT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 64mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 424W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8nC | ||
Forward Voltage Vf 1.55V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals AQG 324 | ||
Automotive Standard AEC | ||
- Pays d'origine :
- CN
The STMicroelectronics device combines two MOSFETs in a half-bridge topology. The ACEPACK SMIT is a very Compact and rugged power module in a surface mount package for easy assembly. Thanks to the DBC substrate, the ACEPACK SMIT package offers low thermal resistance coupled with an isolated top-side thermal pad. The high design flexibility of the package enables several configurations, including phase legs, boost, and single switch through different combinations of the internal power switches.
AQG 324 qualified
Half-bridge power module
650 V blocking voltage
Fast recovery body diode
Very low switching energies
Low package inductance