STMicroelectronics SuperMESH N-Channel MOSFET, 2.4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin IPAK STD3NK60Z-1
- N° de stock RS:
- 151-950
- Référence fabricant:
- STD3NK60Z-1
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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- N° de stock RS:
- 151-950
- Référence fabricant:
- STD3NK60Z-1
- Fabricant:
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Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | IPAK | |
| Series | SuperMESH | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.6Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 11.8nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 45W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type IPAK | ||
Series SuperMESH | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.6Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11.8nC | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 45W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The STMicroelectronics Power MOSFET developed using the Super MESH technology, an optimization of the well established Power MESH. In addition to a significant reduction in on resistance, these devices are designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.
100% avalanche tested
Gate charge minimized
Very low intrinsic capacitance
Zener protected
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