STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel MOSFET, 6 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP6NK60Z

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151-941
Référence fabricant:
STP6NK60Z
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-220

Series

SuperMESH

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.2Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.6V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

33nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

28.9mm

Width

10.4 mm

Length

28.9mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET is obtained through an extreme optimization of well established strip based Power MESH layout. In addition to pushing on resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications.

Extremely high dv/dt capability

100% avalanche tested

Gate charge minimized

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