STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD12NF06T4
- N° de stock RS:
- 151-938
- Référence fabricant:
- STD12NF06T4
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,867 € | 17,34 € |
| 200 - 480 | 0,823 € | 16,46 € |
| 500 - 980 | 0,762 € | 15,24 € |
| 1000 - 1980 | 0,702 € | 14,04 € |
| 2000 + | 0,675 € | 13,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 151-938
- Référence fabricant:
- STD12NF06T4
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | STripFET II | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.1Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 30W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series STripFET II | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.1Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 30W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The STMicroelectronics Power MOSFET series has been developed using STripFET process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the device suitable for use as primary switch in Advanced high efficiency isolated DC to DC converters for telecom and computer applications.
Exceptional dv/dt capability
100% avalanche tested
Low gate charge
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