STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel MOSFET, 2 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD2HNK60Z

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 ruban de 20 unités)*

6,36 €

(TVA exclue)

7,70 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 2 440 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le ruban*
20 - 1800,318 €6,36 €
200 - 4800,301 €6,02 €
500 - 9800,279 €5,58 €
1000 - 19800,258 €5,16 €
2000 +0,248 €4,96 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
151-935
Référence fabricant:
STD2HNK60Z
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

SuperMESH

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.8Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

10.1mm

Height

2.4mm

Width

6.6 mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET developed using Super MESH technology, achieved through optimization of well established strip based Power MESH layout. In addition to a significant reduction in on resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

100% avalanche tested

Gate charge minimized

Very low intrinsic capacitance

Zener protected

Liens connexes