STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET, 75 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB75NF20
- N° de stock RS:
- 151-918
- Référence fabricant:
- STB75NF20
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
| 1000 + | 3,147 € | 3 147,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 151-918
- Référence fabricant:
- STB75NF20
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 75A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | STripFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.034Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 84nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | 50°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 4.6mm | |
| Width | 10.4 mm | |
| Length | 15.85mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 75A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series STripFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.034Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 84nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature 50°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 4.6mm | ||
Width 10.4 mm | ||
Length 15.85mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The STMicroelectronics Power MOSFET realized with unique STripFET process has specifically been designed to minimize input capacitance and gate charge. It is therefore suitable as primary switch in Advanced high efficiency isolated DC to DC converters.
Exceptional dv/dt capability
100% avalanche tested
Low gate charge
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