STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

1 255,00 €

(TVA exclue)

1 517,50 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 20 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +0,502 €1 255,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
151-906
Référence fabricant:
STD12NF06LT4
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

STripFET II

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

90mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±16 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

10.1mm

Width

6.6 mm

Height

2.4mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET, It is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the device suitable for use as primary switch in Advanced high-efficiency isolated DC-DC converters for telecom and computer applications, and applications with low gate charge driving requirements.

Exceptional dv/dt capability

100% avalanche tested

Low gate charge

Liens connexes