onsemi MMBFJ112 N-Channel JFET, Idss min. 5mA, 3-Pin SOT-23
- N° de stock RS:
- 761-3684
- Référence fabricant:
- MMBFJ112
- Fabricant:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 0,223 € | 5,58 € |
| 100 - 225 | 0,192 € | 4,80 € |
| 250 - 475 | 0,166 € | 4,15 € |
| 500 - 975 | 0,146 € | 3,65 € |
| 1000 + | 0,133 € | 3,33 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 761-3684
- Référence fabricant:
- MMBFJ112
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Idss Drain-Source Cut-off Current | min. 5mA | |
| Maximum Gate Source Voltage | -35 V | |
| Maximum Drain Gate Voltage | 35V | |
| Configuration | Single | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Drain Source Resistance | 50 Ω | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Pin Count | 3 | |
| Drain Gate On-Capacitance | 28pF | |
| Source Gate On-Capacitance | 28pF | |
| Dimensions | 2.92 x 1.3 x 0.93mm | |
| Width | 1.3mm | |
| Height | 0.93mm | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Length | 2.92mm | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Channel Type N | ||
Idss Drain-Source Cut-off Current min. 5mA | ||
Maximum Gate Source Voltage -35 V | ||
Maximum Drain Gate Voltage 35V | ||
Configuration Single | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Drain Source Resistance 50 Ω | ||
Mounting Type Surface Mount | ||
Package Type SOT-23 | ||
Pin Count 3 | ||
Drain Gate On-Capacitance 28pF | ||
Source Gate On-Capacitance 28pF | ||
Dimensions 2.92 x 1.3 x 0.93mm | ||
Width 1.3mm | ||
Height 0.93mm | ||
Minimum Operating Temperature -55 °C | ||
Length 2.92mm | ||
Maximum Operating Temperature +150 °C | ||
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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