onsemi, Single Type N-Channel N-Channel Switch-Channel JFET, 15 V 20 mA, 3-Pin SOT-23
- N° de stock RS:
- 166-3093
- Référence fabricant:
- MMBFJ111
- Fabricant:
- onsemi
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
279,00 €
(TVA exclue)
339,00 €
(TVA incluse)
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,093 € | 279,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 166-3093
- Référence fabricant:
- MMBFJ111
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Sub Type | N-Channel Switch | |
| Product Type | JFET | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 15V | |
| Configuration | Single | |
| Mount Type | Surface | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Drain Source Current Ids | 20 mA | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 30Ω | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 350mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -35 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 1.3 mm | |
| Height | 1.04mm | |
| Length | 2.9mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Sub Type N-Channel Switch | ||
Product Type JFET | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 15V | ||
Configuration Single | ||
Mount Type Surface | ||
Package Type SOT-23 | ||
Drain Source Current Ids 20 mA | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 30Ω | ||
Maximum Power Dissipation Pd 350mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -35 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 1.3 mm | ||
Height 1.04mm | ||
Length 2.9mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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