Toshiba 2SK209-Y(TE85L,F) N-Channel JFET, 10 V, Idss 1.2 to 3.0mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)

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760-3126
Référence fabricant:
2SK209-Y(TE85L,F)
Fabricant:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

1.2 to 3.0mA

Maximum Drain Source Voltage

10 V

Maximum Gate Source Voltage

-30 V

Maximum Drain Gate Voltage

-50V

Configuration

Single

Transistor Configuration

Single

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOT-346 (SC-59)

Pin Count

3

Dimensions

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Width

1.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Length

2.9mm

Maximum Operating Temperature

+125 °C

Height

1.1mm

N-channel JFET, Toshiba



JFET Transistors


A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

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