Toshiba 2SK208-R(TE85L,F), Single Type N-Channel JFET-Channel JFET, 10 V 0.3 to 0.75 mA, 3-Pin SOT-346
- N° de stock RS:
- 760-3123
- Référence fabricant:
- 2SK208-R(TE85L,F)
- Fabricant:
- Toshiba
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,358 € | 3,58 € |
| 100 - 190 | 0,24 € | 2,40 € |
| 200 - 390 | 0,217 € | 2,17 € |
| 400 + | 0,214 € | 2,14 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 760-3123
- Référence fabricant:
- 2SK208-R(TE85L,F)
- Fabricant:
- Toshiba
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Toshiba | |
| Channel Type | Type N | |
| Sub Type | JFET | |
| Product Type | JFET | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 10V | |
| Configuration | Single | |
| Mount Type | Surface | |
| Package Type | SOT-346 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 100kΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Drain Source Current Ids | 0.3 to 0.75 mA | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 100mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -30 V | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Length | 2.9mm | |
| Width | 1.5 mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Toshiba | ||
Channel Type Type N | ||
Sub Type JFET | ||
Product Type JFET | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 10V | ||
Configuration Single | ||
Mount Type Surface | ||
Package Type SOT-346 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 100kΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Pin Count 3 | ||
Drain Source Current Ids 0.3 to 0.75 mA | ||
Maximum Power Dissipation Pd 100mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -30 V | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Length 2.9mm | ||
Width 1.5 mm | ||
Height 1.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
N-channel JFET, Toshiba
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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