onsemi ISL9V2040D3ST, Type N-Channel IGBT, 10 A 430 V, 3-Pin TO-252, Surface
- N° de stock RS:
- 862-9347
- Référence fabricant:
- ISL9V2040D3ST
- Fabricant:
- onsemi
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
9,12 €
(TVA exclue)
11,035 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 2 145 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 1,824 € | 9,12 € |
| 10 - 95 | 1,772 € | 8,86 € |
| 100 - 245 | 1,732 € | 8,66 € |
| 250 - 495 | 1,684 € | 8,42 € |
| 500 + | 1,65 € | 8,25 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 862-9347
- Référence fabricant:
- ISL9V2040D3ST
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 10A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 430V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 130W | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.9V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±10 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Series | EcoSPARK | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Energy Rating | 200mJ | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 10A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 430V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 130W | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.9V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±10 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Series EcoSPARK | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
Energy Rating 200mJ | ||
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.