IXYS IXGH48N60B3, Type N-Channel IGBT, 48 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

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791-7416
Référence fabricant:
IXGH48N60B3
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Maximum Continuous Collector Current Ic

48A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

40kHz

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.8V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

20.32mm

Width

16.26 mm

Series

GenX3TM 600V IGBT

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

IGBT Discretes, IXYS


IGBT Discretes & Modules, IXYS


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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