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IXYS IXGH48N60B3, N-Channel IGBT, 48 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

N° de stock RS:: 146-1729
Référence fabricant:: IXGH48N60B3
Fabricant:: IXYS

IXYS IXGH48N60B3, N-Channel IGBT, 48 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Sous-total (1 tube de 60 unités)*

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60 +	7,995 €	479,70 €

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N° de stock RS:: 146-1729
Référence fabricant:: IXGH48N60B3
Fabricant:: IXYS

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	IXYS
	Product Type	IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic	48A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	600V
	Maximum Power Dissipation Pd	300W
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Channel Type	N
	Pin Count	3
	Switching Speed	40kHz
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	±20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	1.8V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	16.26mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Series	GenX3TM 600V IGBT
	Length	20.32mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque IXYS
	Product Type IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic 48A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V
	Maximum Power Dissipation Pd 300W
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Channel Type N
	Pin Count 3
	Switching Speed 40kHz
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.8V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 16.26mm
	Standards/Approvals RoHS
	Series GenX3TM 600V IGBT
	Length 20.32mm
	Automotive Standard No

IGBT Discretes, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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