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Semikron Danfoss SKM200GB176D, Type N-Channel IGBT Module, 260 A 1700 V, 7-Pin SEMITRANS, Panel

N° de stock RS:: 505-3217
Référence fabricant:: SKM200GB176D
Fabricant:: Semikron Danfoss

Semikron Danfoss SKM200GB176D, Type N-Channel IGBT Module, 260 A 1700 V, 7-Pin SEMITRANS, Panel

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N° de stock RS:: 505-3217
Référence fabricant:: SKM200GB176D
Fabricant:: Semikron Danfoss

Spécifications

Documentation technique

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Semikron Danfoss
	Maximum Continuous Collector Current Ic	260A
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1700V
	Number of Transistors	2
	Package Type	SEMITRANS
	Mount Type	Panel
	Channel Type	Type N
	Pin Count	7
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.45V
	Maximum Operating Temperature	-40°C
	Height	30mm
	Length	106.4mm
	Series	SKM200GB176D
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Semikron Danfoss
	Maximum Continuous Collector Current Ic 260A
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1700V
	Number of Transistors 2
	Package Type SEMITRANS
	Mount Type Panel
	Channel Type Type N
	Pin Count 7
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.45V
	Maximum Operating Temperature -40°C
	Height 30mm
	Length 106.4mm
	Series SKM200GB176D
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Dual IGBT Modules

A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices. The modules are available in a wide range of voltage and current ratings and are suitable for a variety of power switching applications such as AC inverter motor drives and Uninterruptible Power Supplies.

Compact SEMITOP® package

Suitable for switching frequencies up to 12kHz

Insulated copper baseplate using Direct Bonded Copper technology

IGBT Modules, Semikron

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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