Infineon FF200R17KE4HOSA1, Type N-Channel Common Emitter IGBT, 200 A 1700 V, 7-Pin 62MMH, Panel

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273-2916
Référence fabricant:
FF200R17KE4HOSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

200A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1700V

Maximum Power Dissipation Pd

1250W

Number of Transistors

1

Configuration

Common Emitter

Package Type

62MMH

Mount Type

Panel

Channel Type

Type N

Pin Count

7

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.45V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

106.4mm

Height

30.5mm

Standards/Approvals

IEC 61140

Automotive Standard

No

The Infineon dual IGBT module with fast IGBT4 and emitter controlled 4 diode.

Optimal electrical performance

Highest reliability

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