Infineon IKY75N120CH3XKSA1 Single IGBT, 150 A 1200 V PG-TO247-4-2
- N° de stock RS:
- 260-5108
- Référence fabricant:
- IKY75N120CH3XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 260-5108
- Référence fabricant:
- IKY75N120CH3XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 150 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 938 W | |
| Configuration | Single | |
| Package Type | PG-TO247-4-2 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 150 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 938 W | ||
Configuration Single | ||
Package Type PG-TO247-4-2 | ||
The Infineon hard switching high speed IGBT3 in a TO247 PLUS package copacked with a soft and fast recovery full current anti-parallel emitter controlled diode.
Low gate charge QG
Very soft, fast recovery full current anti parallel diode
Maximum junction temperature is 175°C
Very soft, fast recovery full current anti parallel diode
Maximum junction temperature is 175°C
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