Infineon IGBT, 10 A 600 V TO-252
- N° de stock RS:
- 258-1003
- Référence fabricant:
- IKD10N60RFATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
1 247,50 €
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1 510,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,499 € | 1 247,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-1003
- Référence fabricant:
- IKD10N60RFATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 10A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 600V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 150W | |
| Package Type | TO-252 | |
| Switching Speed | 30kHz | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Series | TRENCHSTOPTMRC-DrivesFast | |
| Standards/Approvals | RoHS, Pb-free lead plating | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 10A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 150W | ||
Package Type TO-252 | ||
Switching Speed 30kHz | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Series TRENCHSTOPTMRC-DrivesFast | ||
Standards/Approvals RoHS, Pb-free lead plating | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon RC-Drives 600 V, 10 A hard-switching IGBT3 with monolithically integrated reverse conducting diode in a TO252 package, has been developed by Infineon as a cost optimized solution for consumer drives market. This basic technology provides outstanding performance for permanent magnet synchronous and brushless DC motor drives.
Very tight parameter distribution
Best in class current versus package size performance
Outstanding temperature stability
Very good EMI behaviour
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