Infineon FP50R12N2T7PB11BPSA1 IGBT, 50 A 1200 V
- N° de stock RS:
- 253-9833
- Référence fabricant:
- FP50R12N2T7PB11BPSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 253-9833
- Référence fabricant:
- FP50R12N2T7PB11BPSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V | |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 50 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage 20V | ||
Maximum Power Dissipation 20 mW | ||
The Infineon FP50 series is a EconoPIM 2 module with IGBT and emitter controlled diode and PressFIT or NTC or TIM.
Low VCEsat
Overload operation up to 175°C
High power and thermal cycling capability
Integrated NTC temperature sensor
Copper base plate
PressFIT contact technology
Pre-applied thermal interface material
Overload operation up to 175°C
High power and thermal cycling capability
Integrated NTC temperature sensor
Copper base plate
PressFIT contact technology
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