Infineon FF300R08W2P2B11ABOMA1 Half Bridge IGBT Module, 300 A 750 V AG-EASY2B, PCB

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234-4632
Référence fabricant:
FF300R08W2P2B11ABOMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

300A

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

750V

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Package Type

AG-EASY2B

Configuration

Half Bridge

Mount Type

PCB

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.18V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

16.4mm

Length

51mm

Standards/Approvals

RoHS, UL 94 VO module frame

Automotive Standard

AQG 324

The Infineon IGBT module is a very Compact and flexible product offering integrated isolation for the main inverter of hybrid and electric vehicles. The module uses the Benchmark EDT2 IGBT generation allowing 750V blocking voltage and IcN of 300A. The chipset has Benchmark current density combined with short circuit ruggedness for reliable inverter operation under harsh environmental conditions.

Flexibility

Easy system assembly

Easy and Compact design

High reliability

Fully qualified and validated for automotive

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