Infineon FF600R12ME4B72BOSA1 Dual IGBT Module, 600 A 1200 V, 11-Pin ECONODUAL

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218-4341
Référence fabricant:
FF600R12ME4B72BOSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

600 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

20V

Number of Transistors

2

Maximum Power Dissipation

20 mW

Package Type

ECONODUAL

Configuration

Dual

Channel Type

N

Pin Count

11

Transistor Configuration

Dual

The Infineon EconoDual dual IGBT module with TRENCHSTOP IGBT4 technology which has collector emitter voltage of 1200 V and collector current of 600 A. It is used in motor control and drives, solar applications and UPS system, industrial heating and welding

Compact modules
Easy and most reliable assembly
No Plugs and cables required
Ideal for low inductive system designs

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