Infineon FF400R17KE4HOSA1 Dual IGBT Module, 400 A 1700 V, 7-Pin 62 mm

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218-4335
Référence fabricant:
FF400R17KE4HOSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

400 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1700 V

Maximum Gate Emitter Voltage

20V

Maximum Power Dissipation

20 mW

Number of Transistors

2

Package Type

62 mm

Configuration

Dual

Channel Type

N

Pin Count

7

Transistor Configuration

Dual

The Infineon half-bridge IGBT module with fast TRENCHSTOP IGBT4 and emitter controlled diode. It has collector emitter voltage of 1700 V and collector current of 400 A. It is mainly used in motor control and drives, UPS system and power converter and inverter of wind turbines.

Highest power density
Flexibility
Optimal electrical performance
High creepage and clearance distances
Highest reliability

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