STMicroelectronics STGB50H65FB2 IGBT, 86 A 650 V, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Voir l’ensemble des IGBTs
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
N° de stock RS:
204-9869
Référence fabricant:
STGB50H65FB2
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

86 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

272 W

Package Type

D2PAK (TO-263)

Pin Count

3

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.

Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 50 A
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance

Liens connexes