IXYS IXGN320N60A3, Type N-Channel IGBT Module, 320 A 600 V, 4-Pin SOT-227, Surface

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N° de stock RS:
125-8046
Numéro d'article Distrelec:
302-53-418
Référence fabricant:
IXGN320N60A3
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Maximum Continuous Collector Current Ic

320A

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

735W

Package Type

SOT-227

Mount Type

Surface

Channel Type

Type N

Pin Count

4

Switching Speed

5kHz

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Series

Low-Frequency

Length

38.23mm

Height

9.6mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

IGBT Discretes, IXYS


IGBT Discretes & Modules, IXYS


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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