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    Renesas Electronics RJH60F3DPQ-A0#T0 IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin TO-247A, Through Hole

    N° de stock RS:
    124-3701
    Référence fabricant:
    RJH60F3DPQ-A0#T0
    Fabricant:
    Renesas Electronics
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    Renesas Electronics
    Pays d'origine :
    JP

    Législations et de normes

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    Détails du produit

    IGBT Discretes, Renesas Electronics



    IGBT Discretes & Modules


    The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.


    Spécifications

    AttributValeur
    Maximum Continuous Collector Current40 A
    Maximum Collector Emitter Voltage600 V
    Maximum Gate Emitter Voltage±30V
    Maximum Power Dissipation178.5 W
    Package TypeTO-247A
    Mounting TypeThrough Hole
    Channel TypeN
    Pin Count3
    Switching Speed1MHz
    Transistor ConfigurationSingle
    Dimensions15.94 x 5.02 x 21.13mm
    Maximum Operating Temperature+150 °C
    Gate Capacitance1260pF
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