Infineon FF750R17ME7DPB11BPSA1, P-Channel Dual IGBT, 650 A 1700 V AG-ECONOD, Through Hole

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N° de stock RS:
351-921
Référence fabricant:
FF750R17ME7DPB11BPSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

650 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1700 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

20 mW

Number of Transistors

2

Configuration

Dual

Package Type

AG-ECONOD

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

P

Pays d'origine :
AT
The Infineon EconoDUAL 3 1700 V, 750 A dual TRENCHSTOP IGBT7 module with enlarged emitter controlled 7 diode, NTC, Press FIT contact technology and pre-applied Thermal Interface Material.

Optimized switching losses
Enhanced controllability of dv/dt
Enhanced comic ray robustness
Press FIT control pins
Screw power terminals
Integrated NTC temperature sensor
Pre-applied Thermal Interface Material

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