Infineon FF900R12ME7B11BOSA1, Type N-Channel IGBT, 900 A 1200 V, 11-Pin AG-ECONOD, Surface

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222-4798
Référence fabricant:
FF900R12ME7B11BOSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

900A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Number of Transistors

2

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Package Type

AG-ECONOD

Mount Type

Surface

Channel Type

Type N

Pin Count

11

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.8V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Series

FF900R12ME7_B11

Length

152mm

Height

20.5mm

Automotive Standard

No

The Infineon EconoDUAL™ 3 1200 V, 900 A dual TRENCHSTOP™ IGBT7 module with emitter controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology. Also available with pre-applied Thermal Interface Material.

Highest power density

Best-in-class VCE sat

Tvj op = 175°C overload

Improved terminals

Optimized creepage distance for 1500 V PV applications

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