Références fabricant

STMicroelectronics STGB3NC120HDT4, N-Channel IGBT, 14 A 1200 V, 3-Pin TO-263, Surface

N° de stock RS:: 151-940
Référence fabricant:: STGB3NC120HDT4
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STGB3NC120HDT4, N-Channel IGBT, 14 A 1200 V, 3-Pin TO-263, Surface

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 151-940
Référence fabricant:: STGB3NC120HDT4
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Product Type	IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic	14A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Maximum Power Dissipation Pd	75W
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Channel Type	N
	Pin Count	3
	Switching Speed	15ns
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.8V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1mm
	Width	4.4mm
	Standards/Approvals	No
	Length	16mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Product Type IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic 14A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Maximum Power Dissipation Pd 75W
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Channel Type N
	Pin Count 3
	Switching Speed 15ns
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.8V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1mm
	Width 4.4mm
	Standards/Approvals No
	Length 16mm
	Automotive Standard No

Datasheet - STGB3NC120HDT4

Pays d'origine :: CN

The STMicroelectronics IGBT shows an excellent trade off between low conduction losses and fast switching performance. It is designed in Power MESH technology combined with high voltage ultrafast diode.

High voltage capability

High speed

Very soft ultrafast recovery anti parallel diode

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