Infineon Hall Effect Sensor, 2.2 V
- N° de stock RS:
- 253-9861
- Référence fabricant:
- TLE4999C4HALA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 unité)*
6,64 €
(TVA exclue)
8,03 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 1 979 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 6,64 € |
| 10 - 24 | 6,30 € |
| 25 - 49 | 6,18 € |
| 50 - 99 | 5,78 € |
| 100 + | 5,38 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 253-9861
- Référence fabricant:
- TLE4999C4HALA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Supply Voltage | 2.2 V | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Supply Voltage 2.2 V | ||
The Infineon BGSX series is a CMOS switch which is specifically designed for LTE and 5G FR1 three-antenna applications. This triple Pole triple throw (3P3T) cross-switch offers low insertion loss and low harmonic generation. The device has a very small size of only 2.0 mm x 2.0 mm and a thickness of 0.6 mm.
High linearity up to 38 dBm peak power
Fast switching time (max 2 μs) for 5G SRS applications
Low insertion loss and high port to port isolation up to 7.125 GHz
Low power consumption
Fast switching time (max 2 μs) for 5G SRS applications
Low insertion loss and high port to port isolation up to 7.125 GHz
Low power consumption
Liens connexes
- Infineon Hall Effect Sensor, 2.2 V
- Infineon Hall Effect Sensor, 20 V
- Infineon SMD Hall Effect Sensor
- Infineon SMD/SMT Hall Effect Sensor 4.5-5.5 V
- Infineon Through Hole Hall Effect Sensor 32 V
- Infineon Through Hole Hall Effect Sensor 24 V
- Infineon SMD Hall Effect Sensor Latch
- Infineon SMD Hall Effect Sensor Switch