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Renesas Electronics HIP2101EIBZ MOSFET Gate Driver, 3 A 8-Pin 100 V, SOIC

N° de stock RS:: 264-0588
Référence fabricant:: HIP2101EIBZ
Fabricant:: Renesas Electronics

Renesas Electronics HIP2101EIBZ MOSFET Gate Driver, 3 A 8-Pin 100 V, SOIC

Sous-total (1 tube de 980 unités)*

2 904,72 €

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Unité	Prix par unité	le tube*
980 +	2,964 €	2 904,72 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 264-0588
Référence fabricant:: HIP2101EIBZ
Fabricant:: Renesas Electronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Renesas Electronics
	Product Type	Gate Driver Module
	Output Current	3A
	Pin Count	8
	Fall Time	10ns
	Package Type	SOIC
	Driver Type	MOSFET
	Rise Time	10ns
	Minimum Supply Voltage	100V
	Maximum Supply Voltage	100V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	125°C
	Series	HIP2101
	Height	1.7mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Renesas Electronics
	Product Type Gate Driver Module
	Output Current 3A
	Pin Count 8
	Fall Time 10ns
	Package Type SOIC
	Driver Type MOSFET
	Rise Time 10ns
	Minimum Supply Voltage 100V
	Maximum Supply Voltage 100V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 125°C
	Series HIP2101
	Height 1.7mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - HIP2101EIBZ

The Renesas Electronics gate drivers is a high frequency half-bridge NMOS FET driver with a tri-level PWM input with an operating supply and integrated high-side bootstrap bias, it supports driving the high-side and low-side NMOS in halfbridge applications.

Programmable dead-time prevents shoot-through

Bi-directional converter

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