Renesas Electronics MOSFET Gate Driver, 1.69 mA 10-Pin 100 V, SOIC

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N° de stock RS:
264-3549
Référence fabricant:
HIP2210FRTZ
Fabricant:
Renesas Electronics
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Marque

Renesas Electronics

Product Type

Gate Driver Module

Output Current

1.69mA

Pin Count

10

Fall Time

790ns

Package Type

SOIC

Driver Type

MOSFET

Rise Time

20ns

Minimum Supply Voltage

100V

Maximum Supply Voltage

100V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

125°C

Height

1.75mm

Width

4 mm

Length

5mm

Series

HIP2210

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Renesas Electronics high-frequency half-bridge NMOS FET drivers. This is a tri-level PWM input with programmable dead time. Its wide operating supply range of 6V to

18V and integrated high-side bootstrap diodecsupports driving the high-side and low-side NMOS in 100V half-bridge applications.

Integrated 0.5Ω typical bootstrap diode

Robust noise tolerance

VDD and boot undervoltage lockout

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