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Infineon IRS21531DSTRPBF MOSFET Gate Driver, 260 mA 8-Pin 15.4V, SOIC

N° de stock RS:: 226-6201
Référence fabricant:: IRS21531DSTRPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon IRS21531DSTRPBF MOSFET Gate Driver, 260 mA 8-Pin 15.4V, SOIC

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N° de stock RS:: 226-6201
Référence fabricant:: IRS21531DSTRPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	Gate Driver
	Output Current	260mA
	Pin Count	8
	Package Type	SOIC
	Fall Time	80ns
	Driver Type	MOSFET
	Number of Outputs	2
	Rise Time	220ns
	Minimum Supply Voltage	10.1V
	Maximum Supply Voltage	15.4V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5mm
	Standards/Approvals	No
	Width	4mm
	Series	IRS
	Height	1.75mm
	Mount Type	Surface
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type Gate Driver
	Output Current 260mA
	Pin Count 8
	Package Type SOIC
	Fall Time 80ns
	Driver Type MOSFET
	Number of Outputs 2
	Rise Time 220ns
	Minimum Supply Voltage 10.1V
	Maximum Supply Voltage 15.4V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5mm
	Standards/Approvals No
	Width 4mm
	Series IRS
	Height 1.75mm
	Mount Type Surface
	Automotive Standard No

Datasheet - IRS21531DSTRPBF

Infineon IRS Series Gate Driver, 10.1V Minimum Supply Voltage, 260mA Output Current - IRS21531DSTRPBF

This gate driver provides dual-channel MOSFET drive for low-voltage switching applications, supplying controlled gate pulses to power transistors across a modest supply range. It is intended for surface-mount assembly and operates over a wide temperature span suitable for demanding thermal environments.

Features and Benefits:

• Dual outputs deliver independent MOSFET gate control and simplified gate drive
• 260mA output current supplies moderate gate charging needs
• 10.1V to 15.4V supply range supports common low-voltage supplies
• Fast rise time 220ns enables Rapid turn-on response
• Fall time 80ns reduces switching transition duration
• Rated to 150°C allows operation at elevated junction temperatures

Applications

• Used for half-bridge MOSFET gate driving in power converters
• Suitable for motor-drive gate control in Compact assemblies
• Can be used for synchronous rectifier driving in DC-DC converters
• Ideal for gate driving on dense surface-mount power modules
• Used with low-voltage battery-powered switching designs

What package format should I plan for on my PCB?

It is supplied in an 8-pin SOIC package for standard surface-mount pads.

How small is the component footprint for tight layouts?

The package measures 4 mm in width and 5 mm in length for Compact placement.

What thermal range can the device tolerate during operation?

It is specified to operate from -55°C up to a maximum of 150°C.

How many output channels are available for gate signalling?

There are two independent output channels for separate MOSFET gates.

What mounting method is required for assembly?

The device is intended for surface-mount placement on a PCB.

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