Infineon MOSFET Gate Driver, 290 mA 8-Pin 20 V, SOIC
- N° de stock RS:
- 226-6198
- Référence fabricant:
- IRS2127STRPBF
- Fabricant:
- Infineon
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1 355,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,542 € | 1 355,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 226-6198
- Référence fabricant:
- IRS2127STRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Output Current | 290mA | |
| Pin Count | 8 | |
| Package Type | SOIC | |
| Fall Time | 65ns | |
| Driver Type | MOSFET | |
| Number of Outputs | 5 | |
| Rise Time | 80ns | |
| Minimum Supply Voltage | 20V | |
| Maximum Supply Voltage | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Width | 4 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Series | IRS | |
| Length | 5mm | |
| Height | 1.75mm | |
| Mount Type | Surface | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Output Current 290mA | ||
Pin Count 8 | ||
Package Type SOIC | ||
Fall Time 65ns | ||
Driver Type MOSFET | ||
Number of Outputs 5 | ||
Rise Time 80ns | ||
Minimum Supply Voltage 20V | ||
Maximum Supply Voltage 20V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Width 4 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Series IRS | ||
Length 5mm | ||
Height 1.75mm | ||
Mount Type Surface | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRS2127 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL outputs, down to 3.3 V. The protection circuity detect over-current in the driven power transistor and terminates the gate drive voltage.
Floating channel designed for bootstrap operation
Fully operational to +600 V
Tolerant to negative transient voltage, -dV/dt immune
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