Infineon 2ED21824S06JXUMA1 MOSFET Gate Driver 2, 2.5 A 14-Pin 25 V, DSO

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

11,27 €

(TVA exclue)

13,635 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 1 015 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 202,254 €11,27 €
25 - 452,006 €10,03 €
50 - 1201,87 €9,35 €
125 - 2451,734 €8,67 €
250 +1,598 €7,99 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
226-6027
Référence fabricant:
2ED21824S06JXUMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

Half Bridge Gate Driver

Output Current

2.5A

Pin Count

14

Package Type

DSO

Fall Time

30ns

Driver Type

MOSFET

Number of Outputs

2

Rise Time

15ns

Minimum Supply Voltage

20V

Number of Drivers

2

Maximum Supply Voltage

25V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

125°C

Series

2ED21824S06J

Length

8.65mm

Width

3.9 mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

1.72mm

Mount Type

Surface

Automotive Standard

No

The Infineon 2ED21824S06F is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels. It is based on SOI-technology there is an excellent ruggedness and noise immunity with capability to maintain operational logic at negative voltages of up to - 11 Von VS pin on transient voltage. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction.

Floating channel designed for bootstrap operation

Operating voltages (VS node) upto + 650 V

Maximum bootstrap voltage (VB node) of + 675 V

Integrated ultra-fast, low resistance bootstrap diode

Liens connexes