Infineon 2ED2109S06FXUMA1 MOSFET Gate Driver 2, 290 mA 8-Pin 25 V, DSO

Voir l’ensemble des Gate Drivers
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

8,69 €

(TVA exclue)

10,51 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 2 410 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 - 400,869 €8,69 €
50 - 900,826 €8,26 €
100 - 2400,791 €7,91 €
250 - 4900,755 €7,55 €
500 +0,703 €7,03 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
226-6023
Référence fabricant:
2ED2109S06FXUMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

High Speed Power MOSFET & IGBT Driver

Output Current

290mA

Pin Count

8

Package Type

DSO

Fall Time

80ns

Number of Outputs

2

Driver Type

MOSFET

Rise Time

150ns

Minimum Supply Voltage

20V

Maximum Supply Voltage

25V

Number of Drivers

2

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

125°C

Width

3.9 mm

Series

2ED2109 (4) S06F (J)

Length

4.9mm

Standards/Approvals

JEDEC47/20/22

Height

1.72mm

Mount Type

Surface

Automotive Standard

No

The Infineon 2ED2109S06F is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels. It is based on SOI-technology there is an excellent ruggedness and noise immunity with capability to maintain operational logic at negative voltages of up to - 11 Von VS pin on transient voltage. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction.

Floating channel designed for bootstrap operation

Operating voltages (VS node) upto + 650 V

Maximum bootstrap voltage (VB node) of + 675 V

Integrated ultra-fast, low resistance bootstrap diode

Liens connexes