Infineon MOSFET Gate Driver 1, 8 A 16-Pin 3.5 V, DSO
- N° de stock RS:
- 222-4770
- Référence fabricant:
- 1EDS5663HXUMA1
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
970,00 €
(TVA exclue)
1 170,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 1 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 0,97 € | 970,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 222-4770
- Référence fabricant:
- 1EDS5663HXUMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Output Current | 8A | |
| Pin Count | 16 | |
| Package Type | DSO | |
| Fall Time | 4.5ns | |
| Driver Type | MOSFET | |
| Number of Outputs | 2 | |
| Rise Time | 6.5ns | |
| Minimum Supply Voltage | 4V | |
| Maximum Supply Voltage | 3.5V | |
| Number of Drivers | 1 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Length | 10.3mm | |
| Series | 1EDS5663H | |
| Height | 2.35mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 7.5 mm | |
| Mount Type | Surface | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Output Current 8A | ||
Pin Count 16 | ||
Package Type DSO | ||
Fall Time 4.5ns | ||
Driver Type MOSFET | ||
Number of Outputs 2 | ||
Rise Time 6.5ns | ||
Minimum Supply Voltage 4V | ||
Maximum Supply Voltage 3.5V | ||
Number of Drivers 1 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Length 10.3mm | ||
Series 1EDS5663H | ||
Height 2.35mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 7.5 mm | ||
Mount Type Surface | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon new single-channel galvanic ally isolated gate driver IC component 1EDS5663H is a perfect fit for enhancement mode (e-mode) gallium nitride (GaN) HEMTs with non-isolated gate (diode input characteristic) and low threshold voltage, such as CoolGaN™. It ensures robust and highly efficient high voltage GaN switch operation whilst concurrently minimizing R&D efforts and shortening time-to-market.
Low ohmic outputs
Single-channel galvanic isolation
Integrated galvanic isolation
Liens connexes
- Infineon 1EDS5663HXUMA1 MOSFET Gate Driver 4V 16-Pin, PG-DSO-16-30
- Infineon 1EDF5673FXUMA1 MOSFET Gate Driver 4V 16-Pin, PG-DSO-16-11
- Infineon 1ED020I12BTXUMA1 MOSFET Gate Driver 5.5V 16-Pin, PG-DSO
- Infineon 1ED3322MC12NXUMA1 MOSFET Gate Driver 3.3 → 5V 16-Pin, PG-DSO-16
- Infineon 1ED3321MC12NXUMA1 MOSFET Gate Driver 3.3 → 5V 16-Pin, PG-DSO-16
- Infineon 1ED3323MC12NXUMA1 MOSFET Gate Driver 3.3 → 5V 16-Pin, PG-DSO-16
- Infineon 6EDL04N06PTXUMA1 MOSFET Gate Driver 17.5V 28-Pin, PG-DSO
- Infineon 6ED2230S12TXUMA1 MOSFET Gate Driver 20V 24-Pin, PG-DSO
