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Renesas Electronics HIP2211FBZ-T7A MOSFET Gate Driver, 3.4 A 8-Pin 20V, SOIC

N° de stock RS:: 201-3368
Référence fabricant:: HIP2211FBZ-T7A
Fabricant:: Renesas Electronics

Renesas Electronics HIP2211FBZ-T7A MOSFET Gate Driver, 3.4 A 8-Pin 20V, SOIC

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N° de stock RS:: 201-3368
Référence fabricant:: HIP2211FBZ-T7A
Fabricant:: Renesas Electronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Renesas Electronics
	Product Type	MOSFET
	Output Current	3.4A
	Pin Count	8
	Package Type	SOIC
	Fall Time	365ns
	Driver Type	MOSFET
	Number of Outputs	2
	Rise Time	435ns
	Minimum Supply Voltage	18V
	Maximum Supply Voltage	20V
	Minimum Operating Temperature	-65°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.75mm
	Length	5mm
	Series	HIP2211
	Width	4mm
	Standards/Approvals	No
	Mount Type	Surface
	Automotive Standard	No

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	Marque Renesas Electronics
	Product Type MOSFET
	Output Current 3.4A
	Pin Count 8
	Package Type SOIC
	Fall Time 365ns
	Driver Type MOSFET
	Number of Outputs 2
	Rise Time 435ns
	Minimum Supply Voltage 18V
	Maximum Supply Voltage 20V
	Minimum Operating Temperature -65°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.75mm
	Length 5mm
	Series HIP2211
	Width 4mm
	Standards/Approvals No
	Mount Type Surface
	Automotive Standard No

HIP2211FBZ-T7A-RS - Datasheet

The Renesas 100V, 3A source, 4A sink high-frequency half-bridge NMOS FET driver belongs to HIP2211 series. This driver has 8 pin configuration. It features a tri-level PWM input with programmable dead time.

Fast propagation delay and matching with 15ns typical delay and 2ns typical matching

It has Integrated 0.5O typical bootstrap diode

115VDC bootstrap supply maximum voltage supports 100V on the half-bridge

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