Infineon NOR 1 GB Parallel GL-T MIRRORBITTM Flash Parallel 48-Pin TSOP-56, S29GL01GT10FHI010
- N° de stock RS:
- 273-5429
- Référence fabricant:
- S29GL01GT10FHI010
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
16,20 €
(TVA exclue)
19,60 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 32 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 16,20 € |
| 10 - 24 | 15,29 € |
| 25 - 49 | 14,90 € |
| 50 - 74 | 14,60 € |
| 75 + | 14,33 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-5429
- Référence fabricant:
- S29GL01GT10FHI010
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | GL-T MIRRORBITTM Flash Parallel | |
| Memory Size | 1GB | |
| Interface Type | Parallel | |
| Package Type | TSOP-56 | |
| Pin Count | 48 | |
| Organisation | 120MB | |
| Maximum Clock Frequency | 5MHz | |
| Cell Type | NOR | |
| Minimum Supply Voltage | 2.7V | |
| Maximum Supply Voltage | 3.6V | |
| Timing Type | Asynchronous | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Supply Current | 100mA | |
| Series | S29GL | |
| Automotive Standard | AEC-Q100 Grade 2 & 3 | |
| Maximum Random Access Time | 130ns | |
| Number of Bits per Word | 16 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type GL-T MIRRORBITTM Flash Parallel | ||
Memory Size 1GB | ||
Interface Type Parallel | ||
Package Type TSOP-56 | ||
Pin Count 48 | ||
Organisation 120MB | ||
Maximum Clock Frequency 5MHz | ||
Cell Type NOR | ||
Minimum Supply Voltage 2.7V | ||
Maximum Supply Voltage 3.6V | ||
Timing Type Asynchronous | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Supply Current 100mA | ||
Series S29GL | ||
Automotive Standard AEC-Q100 Grade 2 & 3 | ||
Maximum Random Access Time 130ns | ||
Number of Bits per Word 16 | ||
The Infineon Flash Memory is fabricated on 45 nm process technology. These devices offer a fast page access time as fast as 15 ns, with a corresponding random access time as fast as 100 ns. They feature a write buffer that allows a maximum of 256 words or 512 bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective programming time than standard programming algorithms.
20 year data retention
Advanced sector protection
512 byte programming buffer
100000 program and erase cycles
Asynchronous 32 byte page read
Common flash interface parameter table
Liens connexes
- Infineon NOR 1 GB Parallel GL-T MIRRORBITTM Flash Parallel 48-Pin TSOP-56, S29GL01GT10FHI010
- Infineon NOR 128 MB CFI, Parallel Flash Memory 56-Pin TSOP
- Infineon NOR 512 MB CFI S29GL512S11TFI020
- Infineon NOR 128 MB CFI S29GL128P90TFIR20
- Infineon NOR 128 MB Parallel S29GL128S90TFI010
- Infineon NOR 128 MB Parallel, CFI Flash Memory 56-Pin TSOP
- Alliance Memory NOR 4MB Parallel Flash Memory 48-Pin TSOP, M29F400FB55N3E2
- Alliance Memory NOR 4MB Parallel Flash Memory 48-Pin TSOP, M29F400FB55N3F2