Infineon NOR 64 MB SPI Flash Memory 8-Pin DFN
- N° de stock RS:
- 273-5368
- Référence fabricant:
- S25FL064LABNFI043
- Fabricant:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-5368
- Référence fabricant:
- S25FL064LABNFI043
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Memory Size | 64MB | |
| Product Type | Flash Memory | |
| Interface Type | SPI | |
| Package Type | DFN | |
| Pin Count | 8 | |
| Organisation | 8MB | |
| Maximum Clock Frequency | 108MHz | |
| Cell Type | NOR | |
| Minimum Supply Voltage | 2.7V | |
| Maximum Supply Voltage | 3.6V | |
| Timing Type | DDR | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q100 Grade 1, AEC-Q100 Grade 2, AEC-Q100 Grade 3 | |
| Supply Current | 20mA | |
| Series | S25FL064L | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Memory Size 64MB | ||
Product Type Flash Memory | ||
Interface Type SPI | ||
Package Type DFN | ||
Pin Count 8 | ||
Organisation 8MB | ||
Maximum Clock Frequency 108MHz | ||
Cell Type NOR | ||
Minimum Supply Voltage 2.7V | ||
Maximum Supply Voltage 3.6V | ||
Timing Type DDR | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q100 Grade 1, AEC-Q100 Grade 2, AEC-Q100 Grade 3 | ||
Supply Current 20mA | ||
Series S25FL064L | ||
The Infineon Flash Memory offer high densities coupled with the flexibility and fast performance required by a variety of mobile or embedded applications. It provides an Ideal storage solution for systems with limited space, signal connections and power. These memories offer flexibility and performance well beyond ordinary serial flash devices. They are Ideal for code shadowing to RAM, executing code directly and storing reprogrammable data.
Pb free package
Legacy Block protection
65 nm floating gate technology
Individual and region protection
Minimum 20 year data retention
Minimum 100000 program erase cycles
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