Winbond SLC NAND 2 GB Parallel Flash Memory 63-Pin VFBGA, W29N02GVBIAA

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

13,92 €

(TVA exclue)

16,84 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • 630 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
2 - 86,96 €13,92 €
10 - 186,775 €13,55 €
20 - 486,595 €13,19 €
50 - 986,425 €12,85 €
100 +6,27 €12,54 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
188-2808
Référence fabricant:
W29N02GVBIAA
Fabricant:
Winbond
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Winbond

Memory Size

2GB

Product Type

Flash Memory

Interface Type

Parallel

Package Type

VFBGA

Pin Count

63

Organisation

256M x 8 Bit

Mount Type

Surface

Cell Type

SLC NAND

Maximum Supply Voltage

3.6V

Minimum Supply Voltage

2.7V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

85°C

Standards/Approvals

No

Length

11.1mm

Height

0.6mm

Width

9.1 mm

Number of Words

256M

Number of Bits per Word

8

Automotive Standard

No

Supply Current

35mA

Maximum Random Access Time

25μs

Series

W29N02GV

Density : 2Gbit (Single chip solution)

Vcc : 2.7V to 3.6V

Bus width : x8

Operating temperature

Industrial: -40°C to 85°C

Single-Level Cell (SLC) technology.

Organization

Density: 2G-bit/256M-byte

Page size

2,112 bytes (2048 + 64 bytes)

Block size

64 pages (128K + 4K bytes)

Highest Performance

Read performance (Max.)

Random read: 25us

Sequential read cycle: 25ns

Write Erase performance

Page program time: 250us(typ.)

Block erase time: 2ms(typ.)

Endurance 100,000 Erase/Program Cycles(2)

10-years data retention

Command set

Standard NAND command set

Additional command support

Sequential Cache Read

Random Cache Read

Cache Program

Copy Back

Two-plane operation

Contact Winbond for OTP feature

Contact Winbond for block Lock feature

Lowest power consumption

Read: 25mA(typ.3V)

Program/Erase: 25mA(typ.3V)

CMOS standby: 10uA(typ.)

Space Efficient Packaging

48-pin standard TSOP1

63-ball VFBGA

2Gb SLC NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size.

Bus Width: x8

Random Read: 25us

Page Program Time: 250us(typ.)

Block Erase Time: 2ms(typ.)

Support OTP Memory Area

Liens connexes