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Microchip Split Gate 4 MB Parallel Flash Memory 32-Pin PLCC, SST39SF040-70-4C-NHE

N° de stock RS:: 145-8975
Référence fabricant:: SST39SF040-70-4C-NHE
Fabricant:: Microchip

Microchip Split Gate 4 MB Parallel Flash Memory 32-Pin PLCC, SST39SF040-70-4C-NHE

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N° de stock RS:: 145-8975
Référence fabricant:: SST39SF040-70-4C-NHE
Fabricant:: Microchip

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Microchip
	Memory Size	4MB
	Product Type	Flash Memory
	Interface Type	Parallel
	Package Type	PLCC
	Pin Count	32
	Organisation	512 k x 8 Bit
	Mount Type	Surface
	Cell Type	Split Gate
	Minimum Supply Voltage	4.5V
	Maximum Supply Voltage	5.5V
	Timing Type	Asynchronous
	Minimum Operating Temperature	0°C
	Maximum Operating Temperature	70°C
	Width	11.51 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	2.84mm
	Length	14.05mm
	Automotive Standard	No
	Number of Words	512K
	Series	SST39
	Supply Current	25mA
	Number of Bits per Word	8
	Maximum Random Access Time	70ns

	Sélectionner tout
	Marque Microchip
	Memory Size 4MB
	Product Type Flash Memory
	Interface Type Parallel
	Package Type PLCC
	Pin Count 32
	Organisation 512 k x 8 Bit
	Mount Type Surface
	Cell Type Split Gate
	Minimum Supply Voltage 4.5V
	Maximum Supply Voltage 5.5V
	Timing Type Asynchronous
	Minimum Operating Temperature 0°C
	Maximum Operating Temperature 70°C
	Width 11.51 mm
	Standards/Approvals No
	Height 2.84mm
	Length 14.05mm
	Automotive Standard No
	Number of Words 512K
	Series SST39
	Supply Current 25mA
	Number of Bits per Word 8
	Maximum Random Access Time 70ns

Pays d'origine :: CN

SST39SF010A/020A/040 Parallel SuperFlash® Memory

The SST39SF010A/020A/040 family of devices from Microchip are Parallel multi-purpose SuperFlash® Memory ICs.

Features

4.5-5.5V Read and Write Operations

Endurance – 100,000 cycles (typical)

Low Power Consumption - Active Current 10 mA, Standby Current 30 μA (typical values at 14 MHz)

Sector-Erase Capability – Uniform 4 Kbyte sectors

Read Access Time – 55 to 70 ns

Sector-Erase Time 18 ms

Chip-Erase Time: 70 ms (typical)

Byte-Program Time – 14 μs (typical)

Chip Rewrite Time – SST39SF010A 2 seconds, SST39SF020A 4 seconds, SST39SF040 8 seconds (typical values)

Latched Address and Data

Automatic Write Timing – Internal VPP Generation

End-of-Write Detection – Toggle Bit – Data# Polling

TTL I/O Compatibility

JEDEC Standard– Flash EEPROM Pinouts and Command Sets

Microchip Split Gate 4 MB Parallel Flash Memory 32-Pin PLCC, SST39SF040-70-4C-NHE

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SST39SF010A/020A/040 Parallel SuperFlash® Memory

Features

Flash Memory, Microchip

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