Références fabricant

Nexperia PBHV9115Z,115 Transistor, -1 A PNP, -150 V, 4-Pin SOT-223

N° de stock RS:: 816-0652
Référence fabricant:: PBHV9115Z,115
Fabricant:: Nexperia

Nexperia PBHV9115Z,115 Transistor, -1 A PNP, -150 V, 4-Pin SOT-223

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 816-0652
Référence fabricant:: PBHV9115Z,115
Fabricant:: Nexperia

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Nexperia
	Product Type	Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	-1A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	-150V
	Package Type	SOT-223
	Mount Type	Surface
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	-200V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Minimum DC Current Gain hFE	100
	Transistor Polarity	PNP
	Maximum Power Dissipation Pd	1.4W
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	-6V
	Maximum Transition Frequency ft	100MHz
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Pin Count	4
	Height	1.8mm
	Length	6.7mm
	Series	PBHV9115Z
	Width	7.3mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

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	Marque Nexperia
	Product Type Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc -1A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -150V
	Package Type SOT-223
	Mount Type Surface
	Transistor Configuration Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO -200V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Minimum DC Current Gain hFE 100
	Transistor Polarity PNP
	Maximum Power Dissipation Pd 1.4W
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO -6V
	Maximum Transition Frequency ft 100MHz
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Pin Count 4
	Height 1.8mm
	Length 6.7mm
	Series PBHV9115Z
	Width 7.3mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Pays d'origine :: CN

Low Saturation Voltage PNP Transistors

A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in Compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, Nexperia

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